介紹了MOS管(NMOS和PMOS)的導通原理，包括開啟電壓、預夾斷電壓和漏源破壞電壓，以及在電路中的應用，如使用三極管驅動實現(xiàn)3.3V到24V的轉換

　　一、MOS管導通原理。

　　MOS管的兩個重要參數(shù)

　　VGS(th)：開啟電壓

　　VGS(off)：預夾斷電壓

　　VDS(max)漏源破壞電壓

　　1、MOS管：

　　當0=

　　當VGS>VGS(th)，VDS>0，NMOS管導通。

　　VGD=VGS-VDS;當VGS保持不變，隨著VDS的增大，VGD逐漸減小，導致靠近漏極D一側的耗盡層變寬，導電溝道變窄，但漏極電流Id隨著VDS的增大而線性增大。

　　當VGD=VGS(off)，MOS管進入飽和區(qū)。此后再增大VDS，電流ID也不會發(fā)生變化。

　　當VDS>VDS(max)時，MOS管被擊穿損壞。

　　2、PMOS：

　　PMOS管特性與NMOS管類型，但相反。

　　當0>VGS>VGS(th)，VDS<0，PMOS管截止。

　　當VGS

　　當VDS

　　二、電路

　　三極管驅動PMOS實現(xiàn)3.3V轉24V電路

　　Q1導通，Vgs=12v-24v=-12v

　　Q1截止，Vgs=0v>Vt=-2.5v ,Q4截止，PWM_OUT1=0V;

　　三極管驅動NMOS實現(xiàn)3.3V轉24V電路

　　Q2截止，VGS=0

　　Q2導通，VGS=5V>Vt=2.5V,Q3導通，PWM_OUT2=24V;